 |
F3-sX |
Семейство анализаторов толщины F3-sX предназначено для определения толщины полупроводниковых и диэлектрических пленок толщиной от 15 нм до 3 мм. Для толстых пленок характерна более высокая шероховатость и меньшая однородность, что преодолевается за счет использования источника с размером пятна 10 мкм.
Для анализа пленок и пластин толщиной от 10 мкм до 3 мм используется источник ближнего ИК излучения (суперлюминесцентный диод). В случае необходимости он может быть дополнен источником излучения видимой части спектра для анализа пленок толщиной от 15 нм.
Основные области применения систем F3-sX:
- Анализ толщины пластин кремния (включая сильно легированный кремний)
- Конформальные покрытия на полупроводниках
- Анализ отказа интегральных схем
- Анализ толщины толстых слоев фоторезиста (например, SU-8)
Дополнительные аксессуары включают в себя моторизованный столик для картирования, видеокамеру для визуализации места измерения и др.
|
